
采用磷酸銨鎂法凈化含釩富集液,脫除硅、磷,考察了除雜劑加入量、溫度、pH值、銨鎂比、反應時間等因素對雜質去除率的影響。結果表明,凈化除雜條件為:100 mL含釩富集液中加入200 g/L的氯化銨溶液8 mL,按銨鎂比1.4加入氯化銨,直接使用原溶液(pH≈10.2)于室溫下攪拌凈化30 min后過濾得凈化液,除磷率達到96%以上,除硅率達到87%,釩損失率可控制在2%左右。經過沉釩、過濾、洗滌、烘干、煅燒后,獲得了純度99.93%的高純五氧化二釩。經重復性試驗驗證,此工藝、流程簡單,而且生產成本低,可為高純V_2O_5制備提供技術方案。





為了改變磷酸鹽轉化液造成的廢水富營養化,將偏釩酸銨和鹽組成轉化液,在AZ31B鎂合金表面制備了無鉻轉化膜,確定了轉化液組成及工藝條件。采用掃描電鏡和能譜儀分析了轉化膜的微觀形貌和元素組成,通過極化曲線和中性鹽霧試驗研究了轉化膜的耐蝕性。結果表明:轉化膜由Mg,O,F,Si,V元素組成;轉化膜耐蝕性較好,中性鹽霧試驗超過24 h。
采用十二烷基苯磺酸鈉(SDBS)對鎂合金表面偏釩酸鹽轉化膜進行改性。研究了SDBS含量、p H、轉化時間和溫度等對釩酸鹽轉化膜耐蝕性的影響,得到較優的成膜工藝條件為:偏釩酸銨2.2 g/L,SDBS 1.2 g/L,p H 4.4,溫度30°C,時間16 min。分別采用掃描電鏡、能譜儀、中性鹽霧試驗、電化學工作站和紅外光譜儀分析了轉化膜的表面形貌、成分、耐蝕性和組織結構。結果表明,改性后的轉化膜為無定形結構,含Mg、O、C、F、Al、V元素和SDBS有機官能團。改性轉化膜在Na Cl溶液中的腐蝕電位和腐蝕電流密度分別為-1.246 V和5.99×10-6 A/cm2,中性鹽霧試驗時間長達72 h,耐蝕性能遠優于未改性轉化膜。
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